对于PC DIY玩家而言，过去几个月可能是近十年来最糟糕的时刻。
DDR4和DDR5内存价格不断飙升，固态硬盘在悄然跟涨，甚至显卡厂商也在密谋涨价，组装电脑成本每天都在变得昂贵，一部分人选择继续等待，一部分人选择降配省钱，也有一部分人无奈选择高价买入。
但更坏的消息已经出现，美光科技宣布，将在2026年2月底前全面关闭旗下运营了29年的Crucial消费品牌业务，这个曾经在DIY市场上以物美价廉的原厂品牌，正式退出历史舞台。
这一决定并非突然。美光首席商务官Sumit Sadana直言不讳地指出；“AI驱动的数据中心增长引发了对存储器的需求激增。美光做出了艰难的决定，退出Crucial消费业务，以改善对更大规模、战略性客户的供应和支持。”
在三大原厂之一的美光看来，消费级内存和SSD处于自己产品组合中利润率*的一端，需要在高度波动、价格竞争激烈的市场中挣扎。相比之下，数据中心和企业级产品能锁定长期合同、更高的平均售价和更可预测的需求。
除此之外，目前AI基础设施对存储晶圆的需求早已达到了前所未有的程度，这意味着每一片分配给消费产品的晶圆，都会造成超大规模数据中心客户或企业合同的交付延误。而即便是缩减规模的消费业务，仍需要*限度的供应链支持，包括产品开发、固件验证、合规测试、销售团队、零售关系和全球保修运营，这些固定成本在产量缩减时几乎不会下降。
不止是美光，三星和海力士也是如此，对于这些巨头来说，完全关闭消费业务、释放产能和研发资源用于HBM4/HBM4E、企业级固态硬盘和高密度服务器内存模块，似乎就是最理智的战略选择。
美光，打响HBM突围战
在宣布退出消费市场的同时，美光正在日本西部筹划一场规模*的产业布局。据知情人士透露，美光将投资1.5万亿日元（约96亿美元）在广岛东广岛市建设下一代高带宽内存（HBM）芯片生产厂。
这座新工厂计划于2026年5月开工建设，目标是在2028年左右开始出货HBM芯片。日本经济产业省将为该项目提供高达5000亿日元的补贴。这将是美光自2019年以来建设的首座新工厂，也被定位为世界上*进的HBM芯片生产基地之一。
时机的选择耐人寻味。今年5月，美光已在广岛工厂首次引入极紫外光刻（EUV）系统用于大规模生产——这是生产先进芯片所需的最昂贵制造设备。而随着美中对抗加剧以及台湾地缘政治风险上升，美光此前集中在台湾的先进HBM芯片生产正面临供应链多元化的压力。
日本新厂的建设，不仅能为美光确保关键的HBM产能，也使日本能够在国内获得AI芯片的核心组件供应。这座工厂预计将帮助美光追赶在HBM技术领域保持*的韩国SK海力士。
然而，美光在HBM竞赛中的处境依然严峻。根据JPMorgan数据，2024年SK海力士占据55%的HBM市场份额，三星占40%，而美光仅有5%。汇丰银行的数据显示，美光每月晶圆级HBM芯片产能约5.5万片，仅为三星（15万片）和SK海力士（16万片）的三分之一。
更糟糕的是，韩媒报道称美光的HBM4产品难以满足英伟达严苛的性能和能源效率要求，可能迫使公司重新设计芯片架构。如果属实，这将导致量产计划延迟长达9个月，HBM4上市时间推迟到2026年，并使其无法按时完成英伟达订单。业内人士指出："美光目前甚至难以满足英伟达的订单量，在结构上根本无法同时满足谷歌ASIC客户的大规模需求。"
这也解释了为何在谷歌TPU供应链中，美光实际上已经退出——产能限制使其无法同时服务多个大客户，最终韩国企业在规模经济竞争中占据了上风。
此次关闭 Crucial 品牌、在日本大手笔扩产，是美光为扭转其在 HBM 竞争中产能落后局面所采取的关键举措。消费级业务的收缩，意味着更多资本、设备与技术人力可以投入到 HBM 这条高增长赛道。显而易见，这一决策展现了美光对下一阶段竞争格局的清晰判断。
SK海力士，从逆袭到垄断
SK海力士的HBM之路是一部逆袭史。在2016年的Hot Chips研讨会上，当美光工程师尖锐批评HBM、力推混合内存立方体（HMC）时，SK海力士的演讲者只是低调介绍HBM3计划，并暗讽“即使是小玩家也能从大玩家手中抢走糖果”。
那时很少有人能想象，这个在HBM2市场遭遇挫折、内部士气低落的公司，会在几年后占据全球HBM市场62%的份额。
转折点是HBM2E，SK海力士认识到HBM需要与传统DRAM完全不同的开发方法——必须严格遵守客户时间表和规格，否则什么也卖不出去。公司组建了跨职能任务小组，高层强调组织敏捷性和跨团队协调，并在封装技术上做出关键改变——从热压缩非导电膜转向批量回流模塑底部填充，显著提升了工艺效率和散热性能。
另一个优势是定制化能力。虽然HBM遵循JEDEC标准，但每个客户都有独特要求。SK海力士坚持“客户永远是对的”原则，根据需求调整设计。
在即将到来的 HBM4 竞争中，海力士同样将“定制化”视为制胜的关键方向。
日前，SK 海力士发布了“全栈式 AI 内存创造者（full-stack AI memory creator）”愿景，以应对这一市场变化。其意图不仅是提供标准化内存产品，而是从 AI 半导体的设计阶段就与客户协同，共同打造“定制化产品”，并提升整体结果。
本月 5 日，SK 海力士开放了新一批社招岗位，面向“定制内存设计（custom memory design）”领域招募专家。岗位将开放到 15 日，涉及HBM电路设计、物理设计和数字设计。
尤其是在“客户定制化产品”相关的数字设计体系方面，SK 海力士重点招募拥有 RTL 设计、前端和后端经验的资深工程师。在招聘公告中，SK 海力士表示，HBM 数字设计体系的职责包括“与客户沟通需求、编写详细规格”，并补充说明“团队将在客户需求基础上开展 RTL 设计，并与相关部门共同定义 IP（知识产权模块）的行为规范”。
除了数字设计体系，SK 海力士在其他社招岗位中也强调“客户定制能力”。例如，HBM 电路设计体系被定义为“与全球* AI 客户协作，主导 HBM 技术的组织”；而物理设计体系则“基于代工厂工艺设计套件（PDK）和 EDA 工具，负责实现全定制设计”。
值得关注的是，在12月4日发布的“2026 年组织架构调整与高管任命”中，SK 海力士同样将重点放在扩大定制内存业务上。公司为定制（Tailored）HBM 封装新设立了良率与质量专责组织，称这是“为及时应对定制化内存市场扩张而做出的调整”。
同时，公司也将加强与正在自研 AI 芯片的全球科技巨头的接触。SK 海力士计划在美洲设立 HBM 技术专责组织，以便为客户提供更及时的技术支持。此外，还将组建“全球基础设施”组织，加强全球制造竞争力，包括在美国印第安纳州建设先进封装工厂。
在美国、中国、日本等关键地区，公司将设立“全球 AI 研究中心”，以吸引人才并强化系统研究能力，同时新设“Intelligence Hub”这一以客户为中心的矩阵式组织，将客户、技术和市场信息整合到一个 AI 系统中，为客户提供“超预期价值”。
SK 海力士所瞄准的“定制化内存”已经在行业中逐步显现。一个典型案例是英伟达最近公布、目标于 2026 年量产的下一代 AI 半导体平台 Rubin。该平台采用 HBM4（第 6 代）作为 GPU 内存，CPU 采用 LPDDR5X（低功耗 DRAM），而面向推理优化的加速器 CPX 则搭载 GDDR7（图形 DRAM）。
一位半导体行业人士指出：“传统那种把 DRAM 和 NAND 统一挂在 CPU 上的内存架构正在瓦解，行业正转向‘按功能优化的内存架构’。能否掌握与之匹配的设计与制造能力，正在成为未来竞争力的关键分水岭。”
此外，还值得关注的是SK海力士2026年的扩张策略。韩媒报道称，SK海力士明年除积极扩产HBM外，也将全力扩充通用DRAM产能。HBM新增产能主要集中在本季度竣工投产的清州M15X晶圆厂，而通用DRAM新产能将来自清州M8、利川M10、M14、M16等现有晶圆厂。其预计，SK海力士的通用DRAM产能将在2026年扩大至每月7万片晶圆，但实际上有望通过进一步扩产提前达到月投片量10万的2027年目标。
韩媒还爆料称，SK海力士与英伟达谈判中占据上风，成功将HBM4价格上调超过50%，单价约500美元以上，预期明年营业利润可能突破70万亿韩元。虽然SK海力士回应称此为“不实消息”，但市场普遍认为HBM4毛利率约达60%，若维持今年水准，HBM业务明年将创造约25万亿韩元营业利润。
对于已在市场中占据*地位的海力士而言，强化定制化与持续扩产是一套稳健可靠的双线策略：一方面通过深度定制锁定客户，另一方面以更大的产能承接需求，整体竞争态势几乎立于不败。
三星，绝地翻盘
对三星电子而言，2024 年第二季度无疑是灾难性的。Counterpoint Research 数据显示，其 HBM 市场份额从去年第四季度的 40% 暴跌至 15%，不仅落后于 SK 海力士（64%），甚至被美光（21%）反超，跌至行业第三。
然而，谷歌 TPU 生态系统的扩张为三星提供了强劲的反击窗口。TPU 是谷歌与博通合作打造的 AI 加速芯片，每颗芯片集成 6 至 8 颗 HBM。目前，三星和 SK 海力士是谷歌 TPU 的核心 HBM 供应商，今年双方大致平分了谷歌的供应份额，甚至部分月份三星略占优势。
韩国券商分析师预测：“谷歌第七代 TPU 将在今年采用 HBM3E，明年第八代产品将升级至 HBM4。三星明年对谷歌的供应量将是今年的两倍以上。”分析人士普遍认为，随着三星产能快速扩张，明年的竞争格局很可能发生逆转。
事实上，三星近期实现的反超已经开始显现。根据来自韩国业内的最新消息，三星电子的 HBM 月产能已提升至 17 万片（按晶圆投入计），超过 SK 海力士的 16 万片，重新夺回行业*的位置。分析认为，这一成绩来自三星去年下半年以来持续推进的“刮骨式改革”——包括大规模将通用 DRAM 产线转换为 HBM 产线、集中攻克良率瓶颈，以及研发体系的全面调整。
三星电子在领导层层面也同步推进激进改革。11 月 27 日有消息人士透露，三星召开高管会议，正式确认 DS（半导体）部门的组织重组：原 HBM 开发团队被并入 DRAM 开发实验室的设计团队，由副总裁孙英洙出任负责人。这次重组正是副会长全英贤（Jeon Young-hyun）去年 7 月上任后强力推动 HBM 战略的延续。事实上，全英贤上任仅两个月便成立了 HBM 开发团队，并将先进封装（AVP）业务团队调整为直属管理架构。
在新的组织体系下，三星计划加速下一代 HBM4／HBM4E 的开发。目前，三星已向客户交付 HBM4 样品，预计近期将通过关键的质量认证。同时，三星在向谷歌 TPU大规模供应 HBM 方面也获得突破性进展。业内人士指出：“三星加强与英伟达、AMD、OpenAI 等全球科技巨头的合作后，已经获得一定程度的 HBM4 相关技术验证，因此将原应急性质的团队并入常规组织，以提高效率并准备在明年全面扩大市占率。”
在组织重整之外，三星真正的底气依旧在于产能、规模与 IDM 综合能力。汇丰银行数据显示，截至今年底，三星 HBM 月产能约为 15 万片，并预计在 2027 年提升到 19 万片。根据韩国业内最新数据，这一数字已提前增长至 17 万片。三星正在加速将平泽园区的部分 DRAM 产线（P3、P4）转换为用于生产 1c（10nm 级、第六代）DRAM 的 HBM 产线，也已经着手推动平泽 P5 厂房建设，以应对新一轮存储超级周期。
随着定制化 HBM 时代全面来临，三星的 IDM 一体化优势将被进一步放大。SK 海力士选择与台积电组建 One Team 联盟，利用台积电逻辑工艺生产关键 base die，以突破瓶颈；而三星则亮出其王牌——从设计、DRAM、逻辑、到封装全部自研自造的 turnkey（交钥匙）模式，依托自家代工工艺生产 HBM 的逻辑层，以在效率、时程与成本上形成整体优势。
HBM 的利润空间也让竞争更加激烈。由于 HBM 单价是传统 DRAM 的 3 至 5 倍，其在 DRAM 总收入中的占比今年将从去年的 8% 跃升至超过 20%。随着三星重新夺回 HBM 产能*的位置，并持续抢占市场份额，其营业利润率预计将明显改善。尤其在全球大型科技公司（如谷歌、亚马逊、Meta）加速开发自有 AI 加速器、并提出多样化的定制化 HBM4E 需求时，三星凭借其快速响应能力、设计整合能力和自有代工工艺，正在掌握越来越多的主动权。
据悉，三星已完成 HBM4 的开发，并在展会上首次公开展示实物，预计将在 2025 年第四季度上市。量产计划基于 10nm 级 1c DRAM 工艺，目标是在速度与能效上取得*。作为 HBM4 量产关键的逻辑层良率已提升至 90%，DRAM 堆叠单元良率也突破量产门槛。
相比美光与 SK 海力士，三星的体量既是负担也是底牌：规模庞大导致动作不够灵活，却也为其提供了更强的资源调度与技术整合能力。而随着 AI 巨头加速自研加速器、对定制化 HBM 的需求激增，拥有全栈 IDM 能力的三星，反而具备了在下一轮竞争中掀起格局重排的潜力。
结语
美光砍掉29年消费品牌豪掷96亿美元，SK海力士大刀阔斧重组押注定制化，三星凭借谷歌TPU订单完成绝地反击——存储产业正经历一场*的战略分化。
这场变局的本质，是AI时代对存储技术范式的彻底重构。HBM已不仅是一款产品，更象征着产业逻辑的全面转向：从规模化量产转向精准定制，从价格血战转向技术壁垒，从多元供应转向战略深度绑定。
在这场转型中，消费市场沦为配角，传统DRAM价格暴涨，PC供应链承压——这些都是AI基础设施狂吸存储资源的连锁反应。而那些在HBM赛道掉队、产能捉襟见肘的玩家，都将面临被边缘化的宿命。
可以说，存储行业的游戏规则已被彻底改写。群雄逐鹿，鹿死谁手，一切尚未可知。
