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存储芯片,果真回暖了

在经历了一年的价格波动之后,存储芯片市场终于开始走向回暖。结合几大原厂最新财报数据及市场动态显示,库存调整有所成效,预计存储芯片行业有望最晚在2024年步入量价齐升的上行通道。

受需求放缓、供应增加、价格竞争加剧等因素影响,存储芯片的价格在2022年最后两个季度均出现暴跌。

根据TrendForce的最新数据显示,DRAM的平均价格继2022年第三季度暴跌31.4%之后,在第四季度的跌幅扩大到了34.4%。今年Q1,DRAM均价跌幅收敛至13%~18%,Q2 DRAM价格跌幅收窄至10%到15%。

与DRAM市况相似,NAND闪存的市场需求也大幅下滑。2022年Q3和Q4 NAND Flash价格跌幅均超过20%,今年Q1 NAND Flash均价跌幅收敛至10%-15%,Q2 NAND Flash均价续跌 10%~15%。

可以看到,今年Q1、Q2存储市场的跌幅正在逐渐放缓。众所周知,存储价格具有很强的周期性,在这一轮市场下滑到底部后,伴随着经济和需求面的改善,存储市场复苏迹象正在出现并日益明显。

01 9月,市场回暖迹象愈发明显

根据TrendForce统计数据显示,今年Q3预估 DRAM均价跌幅收敛至0~5% 。NAND Flash均价跌幅收敛至3~8%。跌幅的收敛得益于三星、美光科技、SK海力士、西部数据、铠侠等一众厂商的减产策略。如今存储市场的供需关系正在加速回归平衡。

三井住友信托银行的山上隼人以三星电子、SK海力士、美光等厂商的存货资产等为依据,计算出“库存周转天数”,在2023年4-6月时平均为151天、较近期最高纪录的2022年10-12月(158天、过去10年来最长)缩短4%。因销售出现改善,市场也传出“DRAM价格应该不会再往下跌”的声音。

同时在市场的现货价格上,也不断有好消息传来。从2023年4月,存储芯片的现货报价跌幅开始收敛,6月有市场消息称,存储芯片三巨头集体酝酿涨价,目标涨幅最高8%,8月,指标性产品8GB DDR4价格为每块1.48美元左右,已是连续第四个月环比持平。

存储芯片在经过史上最长的库存调整期后,近期属合约市场下游的厂商,已被原厂通知第四季度合约价要调涨,比如据《韩国经济日报》引述业界消息报道称,日前三星已与小米、OPPO、谷歌等智能手机品牌客户签署了DRAM和NAND Flash芯片供应协议,价格比现有的合约价高出了10%~20%。上游涨价合约价格信息的调整带动,这一波涨价由8-9月现货市场开始反弹。

02 存储产品全线涨价

首先看DRAM。在供应端,自今年年初起,三大DRAM龙头陆续启动减产措施,以因应市场需求不振,且进入下半年后,业界再度传出三星将再度减产,且累计各大DRAM厂的减产后,将可望让第四季度的DRAM市场供给量再比第三季减少两成。早在今年4月,美光消费零部件相关部门就正式向经销商发出通知称,自5月起,DRAM及NAND Flash将不再接受低于现阶段行情的询价——换言之,美光认为现阶段价格已是*行情,不再响应降价要求。

在需求端,PC、智能手机等终端电子装置搭载容量都呈现大幅成长趋势,这也成为下半年有效去化库存的关键。

在三大DRAM原厂的市场供给量持续减少,以及终端电子装置搭载容量年成长五成情况下,下半年DRAM价格也有望迎来上涨。业内预计,DRAM将于今年四季度开始上涨,标志着新一轮增长周期的开始。并且,DRAM 价格上涨不仅是由于减产和库存清仓等因素,还与人工智能市场有关。

再看NAND。本月韩媒 Business Korea 报道,三星内部认为目前 NAND Flash 供应价格过低,公司计划今年四季度起,调涨 NAND Flash 产品的合约价格,涨幅在 10% 以上,预计最快本月新合约便将采用新价格。

自今年年初以来,三星一直采取减产措施,晶圆产量大幅下降了40%。只是最初的减产举措主要集中在DRAM领域,但随着下半年开始,三星着手大幅削减NAND Flash业务产量。当前,三星正试图推动NAND价格正常化,以实现公司的盈利目标。在三星的减产战略下,DRAM领域已出现价格反弹,而NAND产品仍存在突破空间。三星的目标是进一步扩大减产规模,以降低供应量,并逐步提高产品价格,从而实现公司的反转目标。

美光也宣布将自9月起提高NAND Flash晶圆合约价约10%,这一举措被认为有望改善美光下半年的盈利状况。不仅如此,随后,SK海力士、西部数据、铠侠等厂商也纷纷跟进,将价格上调了约10%。为了确保此次涨价取得预期效果,三星、美光甚至内部下达了一个明确的指令:绝不亏本卖NAND芯片,必须盈利才能出货。

在国内存储市场,涨价行情也正自上而下传导,据中国闪存市场信息显示,由于NAND晶圆颗粒的价格上涨,以及贸易商出货报价抬高的影响,国产SSD、eMMC/UFS、卡和 U盘等成品端现货价格全线走高。

其中SSD成本价格大概已上涨 20% 左右,国产二三线 SSD 品牌厂家近期已经陆续开始执行涨价。有些品牌在8月底已小涨,有的品牌已从 9 月份开始执行涨价,首次成本价格上涨预计约达到 10% 左右,整体上涨幅度可以达到 15% 以上。预计多数品牌可能选择几轮的涨价策略陆续执行,主要看市场需求以及终端的接受度而定,如果市场需求过差持续上涨可能受阻。

国内不少存储模组大厂最近已经向客户宣布暂停低价接单。从9月12日最新情况来看,上游方面,1Tb/512Gb TLC NAND Flash Wafer连续数周调涨,当周上涨至3.35/1.65 美元;而在DDR方面,DDR4 16Gb/4Gb eTT价格分别上涨2.38%/5.88%;在渠道市场,SSD和内存条价格也出现普涨行情。

三星、铠侠、SK海力士等上游NAND Flash原厂开始拉高晶圆合约价,由于下游系统模组厂手中库存低于正常季节水准,引发终端抢货,消费性SSD、存储卡,手机相关零组件如eMMC、eMCP价格全面走扬。供应链传出,目前平均涨幅约在个位数左右,由于部分存储产品库存水位相对较低,因此四季度涨幅有望上看双位数。

03 五大厂商8、9月最新营收,多家创新高

历经原厂陆续减产后,已有多家存储厂商在最近两个月的营收出现了环比增长的迹象,预示着需求正在缓慢回升。

南亚科:8 月营收25.75 亿新台币,较2022年同期减少24.69%,较7月增加5.65%,为九个月来新纪录;9月营收为27.24 亿元新台币,月增5.8%,年减15.03%,业绩再创新高。

群联电子:8 月营收39.90 亿新台币,环比增长17.56%;9月营收为50.04亿元新台币,月增25.38%,年增4.05%,重返50亿元新台币大关,创14个月新高。群联电子表示8月SSD模组出货量已逐渐回温,其中PCle SSD模组同比增长约60%,整体NAND位元数同比增长近50%。部分NAND控制芯片开始出现客户端库存不足的状况。随后在9月份SSD模组出货量持续出现逐渐回温状况。其中,PCIe SSD模组出货量成长更是将近60%,而整体NAND储存位元数的年成长率(BitGrowth Rate) 也超过75% 。

华邦电子:8月营收64.24亿新台币,环比增长1.74%;9月营收为67.66亿元新台币,月增5.32%,年减7.96%。华邦电子表示8月DRAM市场略有回温。

旺宏:8月营收26.01亿新台币,环比增长19.23%;9月营收为25.01亿元新台币,月减3.8%,年减39.6%。旺宏表示2023年下半年汽车NOR Flash有望逐季回升。

威刚:8 月营收29.71 亿新台币,环比增长30.40%,创近11 个月单月新高。9月业绩暂未公布。不过威刚指出,其8月DRAM模组营收较上个月大幅成长五成,不仅一举超过14亿元,也达到2022年5月以来单月新高,占整体营收比重则拉高至47.57%。SSD单月营收同步回升至9.98亿元,月增19.89%,营收比重为33.6%;闪存卡、U盘及其他产品占比18.83%。

10月初,威刚董事长陈立白表示,存储芯片产业苦熬两年,黑暗将过,2024年下半年更可能出现短缺。他认为,由于三大存储芯片巨头积极减产,效益开始显现,NAND及DRAM近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。

眼看市场回暖在即,2024年存储市场的发展趋势将会如何?

04 2024年,中国市场DRAM、NAND芯片供应将出现短缺

近日,三星电子对其全球主要客户的半导体需求进行了调查。结果表明,各领域客户的存储库存调整已接近完成,半导体行业将从 2024 年起全面反弹。三星预计从 2024 年开始将会有部分地区的 DRAM 和 NAND Flash 供应出现短缺,特别是在中国市场。

三星的一位高级管理人员提到,越来越多的半导体公司已经完成库存调整,特别是在与*客户苹果公司成功进行价格谈判之后。预计NAND业务的亏损将大幅减少。

在服务器DRAM业务方面,针对北美大客户的半导体库存调整也进入最后阶段。数据中心运营商为了应对人工智能需求,正在扩大基础设施投资。

那么未来存储市场的需求驱动力又有哪些?

05 未来哪些存储芯片将变得更加火热?

据华经产业研究院统计,智能手机对DRAM和NAND的需求量均接近40%。此外,服务器和PC对DRAM的需求分别达到34%和13%。

手机:对大容量LPDDR、3D NAND组件等需求越来越大。

国内智能手机市场正掀起一场大内存普及战役。过去一两年,低端手机NAND Flash容量由32GB逐渐升至64GB;中端手机已经逐渐取消RAM 8GB和ROM 128GB容量配置,完全普及256GB;支持RAM 12/16/18GB和ROM 512GB/1TB容量的机型越来越多,并逐渐向中低端渗透。反映到全球存储容量规模上,2022年全球NAND Flash容量增长6%至6100亿GB,全球DRAM容量将增长2%至1900亿GB。可以见得,未来对大容量LPDDR、3D NAND组件等需求会越来越大。

PC:DDR5/LPDDR5渗透率提高,512GB SSD成为主流。

PC及平板电脑的出货量大涨,对于DDR内存的需求也显著增大,DDR5已经开始被推向市场的风口。英特尔及 AMD 均已发布支持 DDR5 的处理器,AMD 在 2022 年 8 月发布其锐龙 7000 系列处理器,首发包括 R9 7950X、R9 7900X、R7 7700X、R7 7600X 四个型号,已在 9 月 27 日正式上市,7000 系列处理器全面支持 DDR5,且不再支持 DDR4 内存,足以看出 AMD 对于未来搭载 DDR5 内存平台的信心。

另外在PC领域,固态硬盘已经完全取代了机械硬盘,目前笔记本电脑中配备512GB SSD成为主流,搭载1TB/2TB的SSD的PC也在逐渐增多。

AI服务器:DDR5渗透率快速增长,HBM需求激增。

服务器需求的增长正在成为存储芯片市场的新能动,超大规模数据中心的高性能服务器更是离不开DDR5的加持,叠加AI效应的持续发酵,HBM产品需求暴增。据悉,2023年开年后三星、SK海力士两家存储大厂HBM订单快速增加,价格也水涨船高,近期HBM3规格DRAM价格已上涨5倍。

根据TrendForce,目前高端AI服务器GPU搭载HBM已成主流,预估2023年全球HBM需求容量将达2.9亿GB,同比增长近60%。TrendForce测算,2023年HBM市场规模预计为31.6亿美金,到2025年市场规模有望突破100亿美金。

从目前各原厂规划来看,TrendForce预估2024年HBM供给位元量将同比增长105%。

汽车等新兴领域驱动存储市场增长。

随着智能汽车的不断发展也给主流和利基型存储带来新的增长点。据悉,全自动驾驶车辆所需的DRAM、NAND将分别是传统汽车的30倍与100倍。另外在物联网、可穿戴设备、云计算、大数据和安防电子等新兴领域的技术发展将持续引领市场增长。

在经历了一年的价格波动之后,存储芯片市场终于开始走向回暖。结合几大原厂最新财报数据及市场动态显示,库存调整有所成效,预计存储芯片行业有望最晚在2024年步入量价齐升的上行通道。

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