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东北小城的第三代半导体企业又融1个亿

业内普遍认为,2024年是碳化硅器件大量使用到新能源汽车车载逆变器的一年。

近日,北一半导体完成1.5亿元B+轮融资,其所在的(碳化硅)MOSFET领域也得到资本关注。

财联社创投通数据显示,以“第三代半导体材料碳化硅”为关键词,相关机构调研次数超过100次。其中,“SiC”在电动车领域的渗透率以及规模提升,和相关产品结构、市占率情况为机构关注的焦点。

在此背景之下,MOSFET作为SiC(碳化硅)领域的重要产品之一,一级市场中也较为“吸金”。

来自黑龙江边陲小城

财联社创投通-执中数据显示,北一半导体成立于2020年,与其他半导体公司扎根长三角不同,北一半导体来自边陲小城穆棱,后者隶属于黑龙江省牡丹江市。

北一半导体创始人金明星是一位典型的返乡创业企业家。从小生活在穆棱的金明星,很早进入到韩国三星工作。21年时间,金明星积累了大量芯片技术、工艺流程、管理模式等经验,于是,2017年金明星最终选择创业,将研发基地选在深圳,将生产基地落户穆棱。

或许是将研发基地落在深圳的缘由,前轮融资中,北一半导体获得了基石资本、金鼎资本、中金资本、联通中金的关注,完成超1.5亿人民币B轮融资,该轮融资金额计划加速公司产线扩建、产品研发、团队扩建以及市场拓展等。

1.5亿元B+轮融资中,上海吾同私募领投1亿元。这是一家成立于2007年的私募股权基金,领投金额已经到位。相较于上一轮融资,B+轮融资资金主要用于碳化硅MOSFET的技术研发,以及产线升级与扩建。

创投日报记者注意到,两轮融资都与“产线扩建”有关,在技术上,北一半导体也从IGBT模组转移到碳化硅MOSFET上。

一位新能源领域投资人告诉创投日报记者,“相较于IGBT,碳化硅MOSFET具有更快开关速度、更低导通损耗、更小开关损耗的特点,这使得碳化硅MOSFET在高频应用中更为高效。但从价格上看,高性能的碳化硅MOSFET价格也高于IGBT。”

“在应用上,目前高性能的碳化硅MOSFET已逐渐替代IGBT;而IGBT本省需要通过技术进步,来优化器件结构和工艺,提高性能以适应需求的变化。”

今年一季度,被三大QFII持仓的芯联集成(688469)表示,碳化硅业务将对公司营收产生更大作用,2023年该业务已实现超3亿元以上营收贡献。截至今年2月,碳化硅MOSFET批量使用在新能源汽车的主驱逆变器上,预计2024年碳化硅业务营收将超10亿元,有望在全球达到30%的市场占有率。

特斯拉曾宣布减少75%碳化硅使用量

财联社创投通-执中数据显示,以碳化硅为标签,今年以来有17笔融资,去年该赛道融资事件达到70件。其中,有知名企业清纯半导体数亿元Pre-B融资;数亿元超芯星的C轮融资;同光股份的15亿元F轮融资……投资机构方面,深创投、毅达资本、建信投资、晨道资本、元禾原点等都纷纷下场。

这些融资中,高质量的“碳化硅”衬底成为关键词。上述投资人提到,碳化硅MOSFET价格相对较高,背后原因是碳化硅这一第三代半导体材料的衬底还没有大量获得。

创投日报记者了解到,目前,一片6英寸的碳化硅晶圆价格在1000美元以上,是同尺寸硅晶圆价格的20倍以上。“之所以形成这样的价格,源于碳化硅晶体生长速度较慢,且生产过程中对温度和压力的控制要求极高,导致生产成本高企。同时,生产工艺流程较为复杂,包括高纯碳粉和硅粉的合成、晶体生长、晶棒切割、研磨、抛光等等。”上述投资人称。

6英寸碳化硅晶圆之外,发展8英寸碳化硅晶圆已是行业趋势。相较于前者,8英寸衬底可以降低单位综合成本约50%。但在生产上,仅有少数企业能够大规模量产。

国内企业中,烁科晶体、晶盛机电(300316)、天岳先进(688234)、芯联集成(688469)、青禾晶元、天科合达等处于送样、小批量生产阶段。其中,两家上市天岳先进(688234)、芯联集成(688469)市值分别为240亿元和325亿元。

上述投资人对创投日报记者表示,业内普遍认为,2024年是碳化硅器件大量使用到新能源汽车车载逆变器的一年。“理想、小米、蔚来等新势力都在碳化硅上发力,虽然特斯拉宣布每辆车都将减少75%的碳化硅芯片使用量,但在市场需求量扩大下,中国碳化硅生产企业仍有希望通过技术实现弯道超车。”

再回到北一半导体的融资上,B融资时,公司表示碳化硅模组研究已取得积极进展;新一轮B+轮融资则将加大研发,通过提升碳化硅MOSFET的性能指标和生产效率,推动产业化进程。

创投日报记者注意到,北一半导体原有的IGBT业务由于技术成熟度高,以及成本较低,在许多应用中仍是*。据了解,北一半导体推出的IGBT模组产品已在头部新能源汽车企业、光伏储能、变频家电及工业控制领域等头部客户中,实现批量使用。

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