投资界（ID：pedaily2012）3月3日消息，近日，苏州晶湛半导体有限公司（“晶湛半导体”）宣布完成B+轮数亿元战略融资。本轮融资由歌尔微电子（歌尔股份002241.SZ 控股子公司）领投，高瓴创投、惠友资本、创新工场、禾创致远、共青城军合、无限基金、三七互娱、中信证券等跟投，老股东元禾控股、湖杉资本等继续加码。
本次B+轮战略融资将主要用于晶湛半导体总部和研发中心建设，项目达产后晶湛半导体将建成氮化镓电力电子、射频电子以及微显示材料研发生产基地，推动晶湛半导体进入新的发展阶段。
晶湛半导体由业界公认的硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延技术的开拓者程凯博士于2012年3月回国创办，坐落于苏州市工业园区，拥有国际先进的氮化镓外延材料研发和产业化基地，致力于为电力电子、射频电子以及微显示等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案，也是目前国际上唯一可供应300mm硅基氮化镓外延产品的厂商，技术实力处于国际领先地位。
在公司发展过程中，晶湛在业内创造过多项第一。2014年底，晶湛半导体就率先在全球首次发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品，经有关下游客户验证，该材料具备全球领先的技术指标和卓越的性能，填补了国内氮化镓产业的空白。2021年9月，晶湛半导体又成功全球首发12英寸硅基电力电子氮化镓外延片，赢得了业内广泛关注。经过多年的专注发展，晶湛半导体已经成为国内GaN材料研发和产业化的领军企业，通过与全球数百家知名半导体科技企业、高校科研院所客户建立广泛深入的合作，多次在行业顶级期刊Nature Electronics，IEEE Electron Device Letters，及国际顶级会议IEDM等发布相关创新成果，引起国际半导体界的广泛关注和一致好评。
晶湛半导体高度重视自主研发和核心知识产权工作，在氮化镓外延领域已掌握多项核心技术, 拥有完全独立的自主知识产权，晶湛半导体目前已在国内外累计申请近400项专利，其中已获得超100项专利授权。公司还先后荣获苏州市技术发明一等奖、苏州工业园区专利授权十佳企业、苏州工业园区知识产权高质量创造奖、江苏省百件优质发明专利、江苏省高质量发明专利、苏州市优秀专利奖、国家高新技术企业、苏州市独角兽培育企业、 苏州市企业工程技术研究中心等一系列资质和荣誉。
