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下一代EUV光刻机

当前大芯片十分火热,但却由于尺寸太大无法适应高 NA 曝光工具的 ½ 场。为了能够继续生产具有相似尺寸的芯片,需要采用拼接。换句话说,就是一部分芯片使用一个掩膜进行图案转印,而其余部分通过第二个掩膜曝光进行图案转印。

光刻机在半导体领域一向是个热门话题,这个能一次又一次突破工艺极限的设备仿佛一个时光机器,连接着芯片的现在和未来。从ASML宣布将推出下一代光刻机开始,人们的目光就从当前最新一代的0.33 NA光刻系统转移到了下一代0.55NA 光刻系统身上。

不知道会不会有人和笔者一样,一边感叹着时间就像是被狗追着一样,跑得飞快,一边又期待着2025年的到来,因为从目前的消息来看,售价4亿美元的下一代光刻机很有可能将在2025年投入使用。

那么,为什么需要High-NA EUV 光刻机?目前下一代光刻机的进展如何?而它又将面临哪些挑战?

为什么是High-NA

众所周知,光刻机的主要作用是将芯片电路图转移到硅片上,而光刻技术正是决定芯片电路大小的关键因素。在芯片制造中,电路越小越好,因为在相同空间中封装的晶体管越多,芯片的速度和能效就越高。

在28nm 及以上的时代,芯片制造的过程应该算是相对简单的,只需要将设计好的芯片图案印在掩膜上,并把掩膜放置在光刻扫描仪中,扫描仪只需要进行单次光刻曝光,就可以把电路图“雕刻”在晶片上,这属于最简单的单一图案化工艺。

但当芯片制程工艺来到了22nm节点,随着晶体管从平面走向3D,掩膜上的电路图变得密集,使得在晶圆上“雕刻”电路图变得更加困难,大幅提高了芯片制造工艺的难度和成本。为此,芯片制造工艺从上述简单的单一图案化工艺转向多重图案化,芯片电路图不再只被印在一个掩膜上,而是被分割在两个甚至多个掩膜上,分别打印每个掩膜,最终将整套原始绘制的形状成像到晶圆上。为了能把电路图印在晶圆上,芯片制造商使用了各种工艺方案,比如双重图案化或自对准方案,这些工艺技术可以把越来越小的电路印在晶圆上。

图源:方正证券

在EUV光刻机出现之前,技术人员利用193nm的光刻机,也就是我们常说的DUV光刻机,通过把镜头放在水里、相移掩膜、多重曝光的方法,一步步推进芯片技术节点。方正证券曾指出,通过自对准双重图案技术、四重图案化工艺等,理论上是DUV光刻机是可以实现7nm节点工艺制程,但是显然所需的掩膜数量极其多,而且工艺也十分复杂,量产难度很大。

这时候,EUV技术出现了。根据瑞利方程,光刻机所用光源波长越短,越能描绘微细线宽的半导体电路,因此凭借 13.5nm 的极短波长,EUV 光刻被引入以取代 193nm的DUV光刻机。对于芯片金属层M2的间距为 36 nm ~ 38 nm的7 nm/6 nm 节点,以及间距为 30 nm ~ 32 nm的5nm 节点来说,13 nm 分辨率足以让芯片制造工艺再次回到了单一图案化时代。

目前,最为先进的5/4nm芯片,以及今年内有望量产的3nm芯片,使用的就是ASML  0.33 NA光刻系统:NXE:3400C或者NXE:3400D。

图源:ASML

但HJL Lithography的Harry Levinson曾指出,金属层M2在 28nm 及以下的间距下,代工厂及其客户有以下选择——双重图案化 EUV、三重图案化EUV 或High-NA。如今3nm还有NXE:3400D来拯救,那2nm甚至1nm节点该怎么办?

对于EUV的多重图案化,专家们分别从技术和成本上给予了否定。Brewer Science高级技术专家 Doug Guerrero 表示:“即使我们将多种图案化技术应用于 EUV,叠加也将非常困难。“Harry Levinson也指出,从经济角度来看,认为双重模式没有意义。

由此看来,为了能让摩尔定律能够继续延续下去,*解就是High-NA。NA是光学系统的数值孔径,表示光线的入射角度,使用更大的NA透镜可以打印出更小的结构,比如0.55 NA 就能够实现 8nm 分辨率。

一方面,High-NA EUV能够减少晶圆厂的周期时间,因为单次High NA 所需的总处理量将少于多次通过 0.33 NA EUV 的总处理时间。另一方面,也提高了芯片设计的灵活性,某些设计元素只能在单个掩模中实现,而High NA 为这些元素提供了改进的成像窗口。更重要的是,工艺步骤的减少还能提高了芯片的产量。

从这方面来说,High-NA EUV是必然的选择。

当前,进展如何

既然ASML 下一代EUV 0.55 NA光刻机的时间表已出,那么现在,它的进展又如何?

据路透社最新消息,ASML 位于荷兰 Veldhoven 镇总部的高管告诉路透社,原型机有望在 2023 年上半年完成。也就是说原型机还有一年就可以完成了。

图源:ASML

此外,ASML 首席执行官 Peter Wennink在4月透露,目前在位于 Veldhoven 的新洁净室中已经开始集成*个High-NA 系统。今年*季度收到了多个 EXE:5200 系统的订单,4 月还收到了额外的 EXE:5200 订单。目前,ASML收到了来自三个逻辑厂商和两个存储厂商的 High-NA 订单。

同时,ASML还正在与比利时电子研究中心IMEC建立一个测试实验室,将在其中建造高 NA 系统,连接到涂层和开发轨道,配备计量设备,并建立与高NA工具开发相伴的基础设施——包括变形成像、新掩膜技术、计量、抗蚀剂筛选和薄膜图案化材料开发等,并准备最早在2025 年使用生产模型,在 2026 年实现大批量生产。

当然,光刻机作为一个由来自全球近800家供货商的多个模块和数十万个零件组成的“庞然巨物”,仅靠ASML一家努力是远远不够的,其他和光刻机有关的厂商也已奔赴战场。

在镜头方面,蔡司和ASML将在High-NA光刻机上采用变形镜头,他们通过在垂直于入射平面的方向上保持 4 ×镜头缩小解决了晶圆上*曝光场尺寸过小问题,从而得到 26 mm × 用于High NA EUV 光刻机 16.5 mm 的视场大小。

光照下的 EUV 掩模示意图

图源:日本应用物理学杂志

此外,多层反射镜具有高反射率的窄入射角范围对透镜和掩膜都有影响,将当前一代 0.33 NA 镜头的镜头设计概念扩展到 0.55 NA 会导致镜面入射角较大,这是有问题的。因此,蔡司使用一种不同类型的高数值孔径设计,以减少反射镜上的*入射角,这种新设计的一个基本特征是中央遮蔽,具有中央遮蔽的高性能镜头已被用于其他应用,例如天文学,哈勃太空望远镜就是一个众所周知的例子。

EUV 透镜中最后两个反射镜的图示

图源:日本应用物理学杂志

而日本测试设备制造商Lasertec对于High-NAEUV,正在开发一种具有 1nm x 30nm 灵敏度的用于 EUV 掩膜坯料的光化坯料检测 (ABI) 新系统。USA 总裁Masashi Sunako曾表示“我们的目标是缺陷定位精度为10nm。”

据了解,Lasertec还推出了使用 13.5nm 光源的光化图案掩膜检测 (APMI) 系统,能够定位 EUV 掩模的20nm缺陷。当然,其对于High-NA EUV掩模的 APMI 系统也在开发中,据悉,新的光学器件、探测器和系统设计已经完成,计划用于2023/2024 年。

此外,KLA 和 NuFlare 也在开发多束电子束掩模检测工具。其中,NuFlare 正在开发具有 100 束光束的多光束检测系统,计划于 2023 年推出。NuFlare 的Tadayuki Sugimori 指出,该系统灵敏度为 15nm,每个掩膜检查周期的检查时间为 6 小时。

未来,挑战依旧重重

即便厂商们都在努力,但想要制造出High-NA EUV依然有着不小的挑战。近期,在日本应用物理学杂志4月发表的《高数值孔径 EUV 光刻:现状和未来展望》论文列出了High-NA EUV面对的八大挑战,分别是:无法满足分辨率要求,随机现象和图案崩溃可能影响良率;可以支持光子散粒噪声和生产力要求的光源;满足 0.55 NA 小焦深的解决方案;偏振控制,用于在 0.55 NA 下保持高对比度;计算光刻能力;掩膜制造和计量基础设施;大芯片解决方案;High-NA EUV 光刻成本。

图源:日本应用物理学杂志

·分辨率的要求

长期以来,光刻胶一直限制着EUV光刻能力,并随着技术的发展,不断减薄,这也使得线条边缘粗糙度 (LER)不断增加。早在ArF 光刻的时候,人们就已经意识到LER的问题,但那时候它对芯片制造影响不大,但随着工艺节点不断微缩,LER就开始影响线宽控制和器件性能。想要降低LER带来的影响,就必须实现低LER。

使用 EUV 光刻图案化的 30 nm 线/空间中随机引起的缺陷示例

图源:日本应用物理学杂志

另一方面,许多不同类型的 EUV 光刻胶都有个共同特征,那就是模糊。除了由电子引起的图像模糊外,在曝光后烘烤过程中,由于光酸扩散,化学放大抗蚀剂也会出现额外的模糊,在某种程度上也会影响良率。

当前,以 10 nm ½ 间距及以下为目标的光刻胶的研发仍在进行中,必须克服目前化学放大型抗蚀剂存在的许多问题,但目前还没有发现具有低LER、低水平的随机性缺陷、无图案塌陷和必要的分辨率,同时避免过高曝光剂量的光刻胶,需要继续研发、改进。

·光源

无论是光刻胶还是其他特定材料配方,都存在一个剂量,低于该剂量时光子散粒噪声引起的 LER 和缺陷太大而无法满足技术要求,因此需要有足够高输出功率的光源以避免降低吞吐量和生产率。

ASML 的 EUV 曝光工具的吞吐量作为源功率 (W) 除以曝光剂量 (mJ cm -2 ) 的函数。箭头指示具有 500 W 源和 80 mJ cm -2暴露剂量的工具的点。

图源:日本应用物理学杂志

ASML SanDiego 使用其激光产生的等离子体 (LPP) 光源实现了 400-500 W 的输出,通过将红外激光转换为波段内EUV光的更高效率,提高了脉冲间重复性,增加LPP 光源的输出。此外,人们还把自由电子激光器认为是 LPP 光源的替代品。目前来看,ASML仍在努力实现更高的光输出。

·满足 0.55 NA 小焦深的解决方案

焦深(DOF)一直也属于光学投影光刻的挑战。当NA为0.55 时,DOF明显降低,大约是0.33 NA 的 1/3,因此需要改进聚焦控制来实现高数值孔径 EUV 光刻。在这方面,为了获得良好的成像,光刻胶减薄就非常重要,但当光刻胶薄膜变得非常薄时,又会存在诸如组件偏析之类的现象,降低图案化。

此外,焦点控制不仅仅是光刻技术中的问题,还对晶圆平整度提出了更高的要求,这也对薄膜沉积,尤其是化学机械抛光 (CMP) 提出了严格的要求。

·偏振控制,用于在 0.55 NA 下保持高对比度

在High-NA下,图像对比度取决于照明的偏振。如下图所示,两个干涉平面波的图像对比度可以在S偏振光的大NA下保持,但随着NA的增加,P偏振和非偏振光的对比度变小。出于这个原因,浸入式光刻机的照明系统提供了偏振控制,并计划在High NA 曝光工具上初始使用的激光产生的等离子体 (LPP) 光源产生非偏振光。当在0.55 NA 处使用非偏振光时图像对比度会明显下降。另一方面,自由电子激光器的发射是偏振的,这为考虑将自由电子激光器 (FEL) 作为High NA EUV 曝光系统的光源提供了额外的动力。

给定数值孔径支持的两个干涉平面波在*入射角下产生的图像对比。

对于 S 偏振,偏振矢量垂直于入射平面,而对于 P 偏振光,它们位于入射平面内。

图源:日本应用物理学杂志

·计算光刻能力

计算精度需要考虑许多物理现象,同时与高 NA 相关的小焦深增加了对计算解决方案的需求。当前,反向光刻技术 (ILT) 已被证明可用于构建*化工艺窗口的掩膜版图,并且由于 ILT 的应用而产生的*掩膜布局通常呈曲线,让掩膜制造变得更加困难。

而多光束掩模写入器解决了这个问题,不仅让生产具有曲线图案的高质量掩模成为可能,还开始对掩膜上曲线特征的数据格式进行标准化。虽然ILT 和曲线特征并不是High NA EUV 所独有的,但这些功能在High NA EUV 上逐渐成熟,因此有望成为High NA 技术的重要组成部分。

·掩膜制造和计量基础设施

光掩膜是芯片制造的重要组成部分,随着电路图越来越小,与理想掩膜的偏差越来越大,进而影响了最终晶圆的图案。因此需要解决掩膜难题,包括减少掩膜3D 效果、增强对掩膜寿命等。最重要的是,在High NA EUV 光学系统中引入新光掩模类型也给掩膜行业带来额外的复杂性。

当前基于钽的吸收器通常约为 60-70nm 厚,旨在吸收足够量的光,与13.5nm 波长相比,厚度较大,因此以特定入射角(在传统 EUV 光刻中以 6° 为中心)照射掩膜,会扭曲空中图像,最终转移到光刻胶中的光图案,并降低其图像对比度。这些所谓的掩膜 3D 效果还伴随着更多的特征相关变化和对晶圆的*聚焦,这对DOF原本就已经降低的High NA EUV 光刻技术提出了额外的挑战。

当然,随着掩膜逐渐变得复杂,对设备的要求也日渐提升。

·大芯片解决方案

当前大芯片十分火热,但却由于尺寸太大无法适应高 NA 曝光工具的 ½ 场。为了能够继续生产具有相似尺寸的芯片,需要采用拼接。换句话说,就是一部分芯片使用一个掩膜进行图案转印,而其余部分通过第二个掩膜曝光进行图案转印。

拼接不是一种新的光刻技术,但需要非常精确实施。此外,由于 EUV 吸收剂不能完全有效地抑制反射光,因此往往通过蚀刻去除掩膜版曝光区域周围的多层反射器,而蚀刻黑色边框会导致局部应力降低,进而影响掩膜特征。

·High-NA EUV 光刻的成本

成本一直是光刻机关注的问题,光刻机价格昂贵不是一天两天了,显然High NA EUV光刻机只会更贵,其成本预计将超过 3 亿美元。前面几代光刻机,其价格的指数增长被吞吐量的提高所抵消,由此可以看出光刻机的吞吐量尤为重要。

因此,如何提高光刻机的吞吐量成为了关键,从这方面来看,提高光源的功率是解决办法之一。一方面,ASML San Diego 已经为 LPP 源实现了 400-500 W 的源功率,并且计划实现更高的功率。另一方面,除了提供偏振光外,自由电子激光器预计具有高功率,这也是考虑将自由电子激光器作为 EUV光刻机光源的另一个原因。

但当光源高于800 W后,High NA EUV 光刻机的吞吐量将接近机械极限,届时又将面临新的难题。

写在最后

总的来说,光刻机向High NA迈进已经成为“续命”摩尔定律的必经之路,在日前举办的的SPIE Advanced Lithography and Patterning上,甚至开始讨论如何转向 0.7 NA EUV。但显然,横跨在大家面前的,仍是不小的挑战。

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