国联万众

AI市场洞察

企业基础信息「核心速览」

• 公司身份：北京国联万众半导体科技有限公司（简称：国联万众），成立时间2015年3月31日，所在地北京市顺义区，工商登记关键信息：注册资本60073.06万元，统一社会信用代码91110113335510088B，法定代表人刘相伍。
• 经营范围：技术开发、技术推广、技术转让、技术服务、技术检测（不含认证、认可）；产品设计；集成电路、半导体分立器件、光电子器件、通信系统设备、通信终端设备、电力电子元器件制造、销售；计算机系统集成；货物进出口、技术进出口、代理进出口；企业管理；投资管理、投资咨询；设计、制作、代理、发布广告；企业形象策划；承办展览展示活动。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
• 业务根基：所属行业芯片半导体，核心业务：第三代半导体材料、芯片、封装、工艺、器件研发与生产，提供公共平台服务，构建第三代半导体产业生态系统。
• 资本轨迹：累计披露融资金额8.58亿元，融资次数6次；最近一轮融资：股权转让，金额2573.47万人民币，日期2024年7月26日。

融资动态「时间轴梳理」

• 融资事件日历（最新→早期）：
  • 2024-07-26：股权转让2573.47万人民币，投资方：中瓷电子。
  • 2023-07-28：并购4.16亿人民币，投资方：中瓷电子。
  • 2022-08-29：拟收购4.16亿人民币，投资方：中瓷电子。
  • 2019-12-22：Pre-A轮未披露，投资方：电科投资、中电科创投。
  • 2017-11-15：天使+轮未披露，投资方：顺义科创。
  • 2017-03-14：天使轮未披露，投资方：中国电科、首都科技发展集团。
• 资金用途：最新融资（股权转让）未披露资金分配方向；早期融资未披露。
• 战略目标：根据联网补充资讯，公司正进行芯片制造及封装测试专业化生产线建设，碳化硅芯片晶圆工艺线已由6英寸升级为8英寸并通线，碳化硅MOSFET已在头部车企量产应用。来源：企查查，发布日期：2026-09-17

创始人&团队「背景透视」

• 核心创始人：未披露。
• 关键成员：未提及。
• 团队互补性：资料未提供团队成员信息，无法评估团队互补性。

公司经营「关键指标」

• 营收与盈利：近周期营收未披露；累计亏损/盈利未披露。
• 客户画像：平均单客价值未披露；前5大客户占比未披露；复购率未披露。
• 收益与竞争力：核心收益来源为半导体产品（芯片、器件等）制造销售；核心竞争力：公司获评2026年省级专精特新中小企业，碳化硅芯片晶圆工艺线已由6英寸升级为8英寸并通线，碳化硅MOSFET已在头部车企量产应用。来源：企查查，发布日期：2026-09-17

行业&政策「趋势研判」

• 行业趋势：赛道定位为第三代半导体（芯片、材料、封装测试），属于硬科技、先进制造领域；行业阶段为成长期。
• 政策支持：公司所在北京市顺义区虽未明确列出具体地方政策名称，但国家层面及多地出台半导体与集成电路产业支持政策，如《苏州市加快发展AI芯片产业的若干措施（征求意见稿）》《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案(2024—2030年)》等，政策方向与第三代半导体材料、芯片制造、封测等高度契合。公司作为省级专精特新中小企业，有望受益于相关研发补贴、流片补贴、人才引进等政策红利。

核心信息「一句话提炼」

• 核心优势：技术壁垒+产业生态构建：深耕第三代半导体材料及芯片制造，碳化硅晶圆工艺升级至8英寸并通线，产品已进入头部车企供应链；获评省级专精特新中小企业，具备技术先发优势。
• 关键挑战：短期面临市场竞争压力，第三代半导体赛道竞争者众多，需持续提升产能规模与成本控制能力。
• 未来潜力：长期受益于国家及地方第三代半导体、芯片制造等政策扶持，碳化硅功率器件在新能源汽车、5G通信等领域需求旺盛，公司8英寸产线放量后有望打开成长空间。