进入2024年，10多家车企纷纷宣布降价。车企给供应商的降价压力更大，普遍要求降价20%，过去一般是每年降3%-5%。
有观点认为，车市降价是由于新技术带来的成本下降，但从大背景来看，2月销量下滑，或是更多企业加入价格战的不得已选择。但从另一个角度来看，成本的下降确实会缓解降价的压力，SiC（碳化硅）会不会是出路呢？
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降价风波始末
2月19日，可以说是一切的开始。
降价潮是由比亚迪掀起的，从2月19日到3月6日，在春节假期结束后的17天里，比亚迪密集推出了13款主力车型的荣耀版新车型。以新车之名，行降价之实。2月9日当天比亚迪宣布，旗下两款插混车型秦PLUS荣耀版和驱逐舰05荣耀版上市，起售价为7.98万元，相较于上一版本冠军版车型，两款新版本车型价格均下降了2万元。其中，秦PLUS DM-i荣耀版售价区间为7.98万元-12.58万元；秦PLUS EV荣耀版售价区间为10.98万元-13.98万元。
同日，五菱星光宣布降价，五菱星光150km进阶版插混轿车降至9.98万元，较原价10.58万元降低6000元，和比亚迪驱逐舰05 120km版本价格基本一致。
19日下午，据哪吒汽车官方消息，对其多款主力车型实施全系降价策略。其中，哪吒X全系降价22000元，哪吒AYA全系降价8000元，哪吒S全系降价5000元。此外，哪吒汽车还推出了保值换购政策，即日起至2024年3月31日，购买哪吒S和哪吒GT车型的消费者将享有在购车后2年内以开票价7折的价格换购哪吒汽车全系新车的权益。
同样在2月19日，长安启源加入价格战，宣布A05起售价7.89万元起，与原指导价8.99万元相比，降价幅度达1.1万元，并打出了“电比油低”的口号。长安启源A05限时促销的主要原因是给用户提供更具优惠的价格，让利用户，让用户以低于油车的价格享受新能源产品带来的价值。2月20日，长安第二代X5 PLUS、X7 PLUS正式上市。长安对新车推出限时优惠政策，2月19日至2月29日，享现金最高直降1.8万元、1.5万元，X5 PLUS、X7 PLUS优惠后起售价分别为7.39万元起、8.39万元起。
3月以来，广汽集团两大品牌埃安和传祺接踵官宣推新、降价。
3月6日，广汽传祺宣布其M6Pro车型与GS3车型均大幅降价。前者售价直降2万元，现价9.98万元起，将价格拉进10万元大关。而后者则降价1.6万元，价格更是低至不到7万元，降价幅度接近两成。
车企希望通过降价来清理库存，加快产品更新换代的速度。一些库存较高的车型，通过降价销售可以快速回笼资金，为新产品的研发和生产提供更多的资金支持。
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降价真的可以“输血”吗？
短期来看，降价是会一定程度的带动销量。优质的产品需要优质的保障，而不是仅仅靠着低价格来吸引消费者，劣币驱逐良币的行为在汽车市场会越来越难。长期来看，国企的竞争力在逐渐被拉大，产品的创新、技术的更新、销售的布局、影响力的发展等，都受到来自民营企业和新势力造车的挑战。
燃油车和新能源竞相博弈，消费者的选择多数也是二选一，各厂降价角力竞逐在所难免，燃油车的促销短期内解决了库存和周转资金，但长期来看影响了品牌和售后，而新能源在这波打压下价格和客户明显会受挫，长期亏损带来的战略影响至关重要，首先是活下去，跟重要的是活得久一点，降价显然不能解决根本问题。
SiC在这种情况下，更受关注。
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SiC为什么能带来希望？
功率器件作为汽车电动化的重要增量器件，近年来受益下游市场景气快速增长，其中，IGBT与SiC分别作为第二代、第三代功率器件的代表，两者的上车之争从未停歇，相比IGBT，SiC在宽禁带、击穿电场、热导率以及工作温度等方面拥有明显优势，取代IGBT似乎正成为新趋势，部分有实力的主机厂已在同时布局IGBT与SiC车型。业内人士表示，现在SiC吃掉大部分车规IGBT模块份额，市场增量巨大。
SiC为第三代半导体代表之一，在宽禁带、击穿电场、热导率以及工作温度等4大关键指标上较Si基材料具有明显优势，英飞凌认为，SiC的禁带比Si大3倍，可转化为10倍的击穿电场；热导率也是Si的3倍，支持200℃高温工作，而Si为150℃，SiC更适于在车载等恶劣环境下工作，因此，SiC被认为是功率器件中Si的*替代材料。与IGBT相比，SiC器件体积可缩小到IGBT的1/3以上，重量也可减少40%以上，且不同工况下SiC功耗降幅达60%以上。业内人士认为，IGBT换成SiC可以提高3-8%的逆变器效率，未来SiC将会替代IGBT，这是发展趋势。
目前，已经有多家车企实现了SiC主驱成本的优化，例如：日产新一代SiC电驱系统成本降低30%、特斯拉主驱的SiC减少了75%、小鹏全新电驱的碳化硅成本减少50%等等。上游衬底、芯片产能和良率不断提升，SiC模块具备一定的降价空间。
全球 SiC 从 6英寸往 8英寸发展，有望带动芯片单价下降。正如硅片晶圆从 8 英寸往 12 英寸发展，目前 SiC 晶圆也正在从 6 英寸往 8 英寸发展。更大的晶圆 尺寸可以带来单片芯片数量的提升、提高产出率，以及降低边缘芯片的比例，从 而提升晶圆利用率。例如，Wolfspeed 统计，6 英寸 SiC 晶圆中边缘芯片占比有 14%，而到 8 英寸中占比降低到 7%。随着全球 SiC 晶圆的尺寸扩大，预计将带 动 SiC 芯片单价降低，从而打开应用市场。
SiC 衬底售价随着出货量提升而逐步下行。2021 年，天岳先进的平均销售价格为 6767 元/片，较 2020 年同比下降 25%。考虑到目前国产 6 英寸衬底还未大 批量生产，所以预计还会有降价空间。另一方面，半绝缘型 SiC 衬底由于市场供 应商较少，且下游有部分军事装备应用，所以目前售价较高。当前 SiC 衬底售价 较高是良率水平低、晶圆尺寸小、自动化程度低等多因素导致的。随着各厂商提 升工艺、往更大尺寸 SiC 晶圆发展，预计 SiC 衬底售价将逐步下行。
因为SiC 成本下降依赖于尺寸增加、可用厚度增加和缺陷密度下降。伴随大直径衬底占比不断提高，衬底单位面积生长成本下降。单晶可用厚度在不断增加。以直径 100mm 单晶为例，2015 年前大部分单晶厂商制备单晶平均可用厚度在15mm 左右，2017 年底已经达到 20mm 左右。
伴随衬底结晶缺陷密度下降的同时，工艺复杂程度增加。在大部分衬底提供商完成低缺陷密度单晶生长工艺及厚单晶生长工艺研发后，衬底单位面积价格会迎来相对快速的降低。
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可以通过新技术，降低电驱的SiC芯片用量和成本
SiC 电力电子器件价格进一步下降，与同类型 Si 器件价差缩小。根据 CASA，Mouser，从公开报价来看，2020 年底 650V SiC SBD 均价为1.58 元/A，同比下降 13.2%，与 Si器件的价差约 3.8 倍；1200V SiC SBD 均价为3.83 元/A，同比下降8.6%，与 Si 器件的差距约 4.5 倍。根据CASA 调研，实际成交价低于公开报价，650V SiC SBD 实际成交价格约 0.7 元/A，1200V SiC SBD 价格约 1.2 元/A，约为公开报价的 60%-70%，同比则下降了 20%-30%，实际成交价与 Si 器件价差已经缩小至 2-2.5 倍之间，已经达到了甜蜜点。
根据这个趋势，未来SiC的价格会再次下降。
有市场消息称，国内主流6寸碳化硅(SiC)衬底报价参照国际市场每片750-800美元的价格，快速下杀，价格跌幅直逼三成。甚至有供应链从业者表示，由于国内SiC长晶、衬底参与者众多，在一线厂率先掀起降价模式的情况下，恐将迫使二、三线厂商被动跟进，碳化硅衬底价格战开启。
对于一线SiC厂商掀起“价格战”、SiC衬底降价近三成等说法，业内持有不同观点。着国内各大厂商SiC产能的提升，SiC衬底的价格一直处于缓慢下行区间，平均每年的降速在5%-10%上下。比如，现阶段，国产6寸SiC衬底在4000元/片-5000元/片左右，预计到2025年价格将进一步下降，有望降至4000元/片。
恶意降价并不符合当下行业发展规律。对于碳化硅行业新进入者来说，现阶段制约行业发展的因素有两方面，一个是产能跟不上；另一个是良率无法提升，这也导致中小厂商在面对头部大厂商竞争时，通过降价的方式，换取市场份额；相反，对于已经接入英飞凌、博世等全球大客户的碳化硅头部碳化硅上游厂商来说，稳定的产品性能以及批量供应能力，才是立足市场的根本，而并非通过降价的手段，“出清”市场跟随者。
随着技术的进步，成本下降，SiC衬底的应用会越来越广泛，有利于促进下游应用端的快速发展。当SiC衬底产能提升后，大幅降价是有可能的。
