投资界（ID：pedaily2012）5月26日消息，近日，珠海镓未来科技有限公司（以下简称“镓未来”）宣布完成近亿元A+轮融资，由顺为资本、高瓴创投、盈富泰克联合投资，深启投资担任独家财务顾问。至今，这家专注于高端第三代半导体氮化镓功率器件研发和生产的综合解决方案提供商，成立一年半已累计融资过2亿。本轮融资将主要用于氮化镓功率芯片新产品研发及应用方案开发，此外还将用于供应链建设。
镓未来成立于2020年10月，致力于高端氮化镓功率器件的研发、设计和生产，为客户提供更高效率、更小体积、更低成本的硅基氮化镓器件产品和整体解决方案。其产品除了应用于手机/笔记本PD快充以外，也实现了中大功率应用场景。目前，镓未来多款650V氮化镓产品已实现了量产销售，其中包括 3款低功率氮化镓产品和2款高功率氮化镓产品。
公司共有近70名员工，吸引了Intel、TI、士兰微、TPH等业内头部半导体公司的人才，完成组建了一个具备芯片研发、封装测试、生产导入、可靠性验证、质量控制和应用系统方案等各环节的完整团队。
GaN是第三代半导体材料的核心材料之一，具有功率密度更高、体积更小、更低功耗的特点。由于氮化镓材料临界击穿电场高，电子迁移率高，氮化镓功率器件在同一个关态阻断电压等级具有更高工作频率和更低导通电阻等特性，电转换损耗更低。不但提高效率节约电能，而且可使电源体积更小，实现更高的功率密度。
自2018年氮化镓在手机PD快充得到快速普及后，低功率（以65W为代表）应用场景需求不断释放，第三代半导体氮化镓功率器件赛道进入快速成长期。目前，每年超10亿台智能手机叠加超2亿台笔记本等消费电子产品的出货量，吸引了PI、Navitas、英诺赛科等主要玩家都加入低功率氮化镓功率器件市场的争夺战中。
镓未来选择采用级联结构型设计方案，在常开型GaN器件的源端串接一个常关型的低压MOSFET，实现增强型器件。通过器件集成的优化设计与先进封装，克服了传统级联结构的缺点，实现高速而稳定的特性。
采用GaN天然的常开特性可以避免制作常关型GaN器件工艺引入的缺陷，加上先进的设计和成熟制作技术，镓未来的产品动态特性优秀，可靠性高。由于其栅极是常规的Si-MOSFET，栅极抗噪声、抗冲击能力强，不单兼容Si基功率开关电路的栅极驱动。而且可以封装成插件形式，适合大功率应用场景，应用功率范围可覆盖30W-6000W。
